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在这里，知整美国加州大学伯克利分校FengWang团队在WSe2/WS2异质结构中发现了莫尔超晶格激子态。因此，打架道科学家开始探索自下而上的简便方法来制备更多扭曲的范德华结构。

知整整个发射阈值观察到发射的空间相干性急剧增加。打架道研究人员将这些共振归因于激子基态和受限于莫尔势的激发态。有鉴于此，知整ManishChhowalla等人深入研究了金纳米电极包覆的10nm厚的铟金属与单分子层MoS2之间的范德华相互作用。

有鉴于此，打架道复旦大学高春雷课题组和吴施伟课题组合作，研究了双层CrBr3的磁性状态如何取决于单层堆叠的类型。研究中，知整杂化通过显著的激子能移是层间转角的周期性函数这一现象显示出来，知整而激子能移的周期性是因为：杂化激子是由MoSe2中空穴产生的，且MoSe2与相邻单层中扭转依赖的电子态叠加存在相互作用。

打架道这种解释得到了重组动力学以及这些层间激子共振对扭转角和温度的依赖性的支持。

研究团队使用自主开发的自旋极化扫描隧道显微镜等手段发现，知整当两个单分子层以相同方向取向时形成反铁磁状态，而相反的取向则导致铁磁性。【背景介绍】随着传统锂过渡金属氧化物（LiMO2，打架道M=Ni、打架道Co、Mn）正极的能量密度上限接近700Whkg-1，混合阴离子和阳离子氧化还原（HACR）正极、纯阴离子氧化还原LinS和LinO正极可作为下一代电池的候选材料。

知整具有分层结构的富锂Li1+xM1-xO2（LXMO）是最有希望的HACR正极之一。打架道（e-f）第2次和第50次循环中G0（e）和G4（f）的CV。

至今共发表论文300余篇，知整被引超过3万次，h-index94。（d）在放电和充电状态下，打架道表面锰的化合价的分布。